用於對石英晶振施加較高的激勵電平,通過這種強激勵可去除晶振上的微塵從而改善其特性。通過更換子基板可以變更頻段。
原理 | 振蕩法 |
振蕩範圍 | 主基板 40 ~ 54 MHz 子基板 9 ~ 40 MHz (4種) CI: ~300 Ω |
激勵程度 | ~ 15 mW ※因晶體條件而異。 |
外形尺寸 | 150(W)x130(D)x13(H) |

用於對石英晶振施加較高的激勵電平,通過這種強激勵可去除晶振上的微塵從而改善其特性。通過更換子基板可以變更頻段。
原理 | 振蕩法 |
振蕩範圍 | 主基板 40 ~ 54 MHz 子基板 9 ~ 40 MHz (4種) CI: ~300 Ω |
激勵程度 | ~ 15 mW ※因晶體條件而異。 |
外形尺寸 | 150(W)x130(D)x13(H) |